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    速度高达7.2Gbps!三星宣布14nm EUV DDR5 DRAM量产

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    • 10月12日消息,今日,三星官方宣布已开始量产基于极紫外光(EUV)技术的14nm DRAM。

      三星表示,继去年3月推出首款EUV DRAM后,又将EUV层数增加至5层,为DDR5解决方案提供当下更为优质、先进的DRAM工艺。

      根据最新DDR5标准,三星的14nm DRAM速度高达7.2Gbps,比DDR4的3.2Gbps快两倍多。

      三星指出,随着DRAM工艺不断缩小至10nm范围,EUV技术能够提升图案准确性,从而获得更高性能和更大产量,因此该项技术变得越来越重要。

      据介绍,通过在14nmDRAM中应用5个EUV层,三星实现了自身最高的单位容量,同时,整体晶圆生产率提升了约20%,与前代DRAM工艺相比,14nm工艺可帮助降低近20%的功耗。

      值得一提的是,三星还计划扩展其14nm DDR5产品组合,以支持数据中心、超级计算机与企业服务器的应用。

      同时,三星预计将14nm DRAM芯片容量提升至24GB,以搞好满足全球IT系统快速增长的数据需求。

      三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人Jooyoung Lee 表示,“通过开拓关键的图案技术,三星活跃全球DRAM市场近三十年”。

      他强调,如今,三星正在通过多层EUV建立起另一个技术的里程碑,该技术实现了14nm的极致化,这也是传统氟化氩 (ArF) 工艺无法实现的。

      在此基础上,三星将继续为5G、AI和元宇宙中需要更高性能和更大容量的数据驱动计算,提供最具差异化的内存解决方案。

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